Дизайн проект выставочного стенда группа компаний Ангстрем. Дизайн проект выставочного стенда группа компаний Ангстрем. В 2008 году Ангстрем-Т вступил в совместное предприятие с немецкой компанией M + W Zander (Exyte) для строительства завода по производству полупроводников в Зеленограде, Россия. Она предназначалась для производства микросхем, предназначенных для производства интегральных схем с...
Метка: группа компаний Ангстрем
«Ангстрем» был создан в июне 1963 года как опытный завод в связке с НИИ Точной Технологии. На «Ангстреме» разрабатывались новые технологии производства микроэлектроники, а также производились опытные партии новых микросхем. Отлаженная технология производства затем передавалась на другие предприятия СССР и стран Восточной Европы.
«Ангстрем» был первопроходцем по многим направлениям. Впервые в СССР были созданы:
Гибридная технология производства микросхем в 1965 г.
Микропроцессор в 1974 г.
4-килобитовые схемы динамической памяти в 1975 г.
Однокристальные мини-ЭВМ в 1979 г.
Полузаказные схемы на базовых матричных кристаллах (БМК) в 1979 г.
Налажено массовое производство ДОЗУ 64 К в 1983 г. и 256 К в 1986 г.,
32-разрядный микропроцессор в 1988 г.
СБИС памяти 1 М в 1989 г.
«Ангстрем» серийно выпускал персональные компьютеры, микрокалькуляторы, электронные часы и игрушки миллионами штук в месяц. Каждому ребенку в СССР была известна игра «Ну, погоди!», каждый инженер использовал в работе вычислительную технику и микрокалькуляторы «Ангстрема».
Более 30 сотрудников предприятия стали лауреатами государственных премий, многие награждены орденами и медалями.
Российская Федерация
В промышленности Российской Федерации «Ангстрем» также играет заметную роль.
1995-1998 г. – доля «Ангстрема» в общем объеме экспорта отечественной электроники составила 20%. Микросхемы калькуляторов и электронных часов заняли до 80% и 60% мирового рынка соответственно.
1996 г. – Создана первая российская банковская карта.
1999 г. – Запущено производство чипов для смарт-карт
2007 г. – Выпущен 500.000.000-й. кристалл для мобильных телефонов, и 6.000.000.000-й. чип.
2010 – Впервые в России получены высоковольтные IGBT транзисторы и FRD диоды с напряжением 2000 В.
2014 – Налажен выпуск полностью отечественных IGBT транзисторов с напряжением 1700-6500 В и высоковольтных IGBT-модулей с напряжением 600-1700 В и током 50-400 А